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本发明公开了一种水平结构沟槽肖特基半导体装置；本发明的半导体装具有比传统的垂直平面肖特基二极管具有更大的导通面积，因此具有更高的电流密度；本发明的半导体装设置有反型层或器件表面的第二导电半导体材料，在反向偏压时其可以与漂移进行电荷补偿，改善...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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