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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供包含NMOS部分和PMOS部分的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成一由三层材料堆叠而成的遮蔽体；形成一经过图形化的光刻胶层；去除位于所述PMOS部分的第三材料层；蚀刻位于所述PM...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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