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本发明公开了一种深度耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底；位于所述衬底中的Vt设定区；位于所述Vt设定区中的凹形非掺杂区；形成于所述非掺杂区上的栅介质层；形成于所述栅介质层上并延伸出衬底表面的栅极；位于所述栅极两侧的偏移侧墙...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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