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本发明提供一种形成高K金属栅极器件方法，通过使用LPCVD工艺代替热氧化生成的方法形成牺牲氧化层，降低了牺牲氧化层的致密性以及与衬底之间的贴合性，在移除牺牲氧化层时所需要的湿法腐蚀时间会减少并且所使用湿法腐蚀酸的浓度也会降低，从而减少对层间...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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