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本发明的半导体装置包括由宽带隙半导体构成的半导体层和与所述半导体层的表面相接的肖特基电极，所述半导体层包括形成所述半导体层的所述表面的漂移层和形成在所述漂移层的表层部、具有比所述漂移层高的电阻的高电阻层，所述高电阻层通过在从所述半导体层的所...
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