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本发明提出一种沟槽肖特基MOS半导体装，将肖特基势垒结代替传统MOS器件的源区和体区，通过栅极偏压在漂移区形成高浓度的载流子区域，形成器件的沟道；同时本发明将电荷补偿结构引入到沟槽肖特基MOS结构中。...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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