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本发明公开了一种半导体器件以及制作半导体器件的方法。所述方法包括:a)在半导体衬底的N型区域上形成伪栅极堆叠结构,其由下而上依次包括界面层、高k介电层、高k盖帽层和伪栅极材料层,其中在所述高k介电层和所述高k盖帽层之间还形成有扩散阻挡层;b...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体器件以及制作半导体器件的方法。所述方法包括:a)在半导体衬底的N型区域上形成伪栅极堆叠结构,其由下而上依次包括界面层、高k介电层、高k盖帽层和伪栅极材料层,其中在所述高k介电层和所述高k盖帽层之间还形成有扩散阻挡层;b...