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本发明公开了一种低表面孔隙低介电常数薄膜材料制备方法，其包括如下步骤：提供硅衬底，对其清洗，并置于电子回旋共振等离子体设备中；将D5环有机硅置于恒温蒸发器中，并送入电子回旋共振等离子体设备中；调节控制器，使D5环有机硅形成等离子体，并在硅衬...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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