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本发明公开了一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层和多晶硅层，在多晶硅层的表面形成图案化的光阻胶层，图案化光阻胶层所覆盖的区域定义倒梯形替代栅极上表面的宽度；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，脉冲式刻蚀所述多晶...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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