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本发明的实施例公开了一种半导体集成器件及其制作方法，该方法包括：提供半导体衬底，在衬底表面上形成第一栅介质层；在第一栅介质层表面上形成替代栅电极层和源/漏极、与替代栅电极层顶部齐平的层间介质层；以层间介质层为掩膜，去除替代栅电极层，形成第一...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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