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本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，相邻两个栅极结构间的相邻两个侧墙之间为凹槽，所述凹槽具有自上而下间的渐窄侧壁，即一定程度上减小了凹槽的深宽比，使得凹槽中较深位置所需沉积的应力顶盖层减少了，由此使得凹槽较深位置易于沉积应力顶盖层，即避...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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