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本发明提供一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，通过在一半导体衬底上沉积一定厚度金属氮化物以及对所述金属氮化物进行紫外光照射氮化处理和热回流处理以形成金属硬掩膜层，而紫外光照射氮化处理和热回流处理能够使得金属氮化物内部进行充分的氮化反应和...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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