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本发明揭露一种制造具有钌衬里铜的集成电路的方法，且本发明提供制造集成电路的方法。在一实施例中，制造集成电路的方法包括沉积介电层，该介电层定义一平面。在该方法中，蚀刻该介电层以形成沟槽。接着，在该介电层上方沉积含钌衬里层。使用含铜金属填充所述...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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