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本发明涉及具有降低的层间电介质层蚀刻速率的替代金属栅极处理。一种形成半导体器件结构的方法包括：在半导体衬底以及形成于该衬底上的虚设晶体管栅极结构之上形成层间电介质（ILD）层；在该ILD层的顶部中灌注浅气体团簇离子束（GCIB）层；以及从所...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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