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本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括在半导体本体中形成沟槽。所述方法进一步包括通过等离子体掺杂来经由沟槽的侧壁掺杂半导体本体的一部分。...
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