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本发明涉及一种器件隔离的方法，包括以下步骤，步骤一，在晶圆正面的两个参杂区域之间进行浅沟槽隔离，在晶圆正面进行金属互连；步骤二，对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄处理；步骤三，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽；步骤四，在晶圆背面刻蚀出的...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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