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一种非对称沟道量子点场效应光子探测器制造技术
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下载一种非对称沟道量子点场效应光子探测器的技术资料
文档序号:9528350
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本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器,所述光子探测器基于源漏沟道结构,且源漏沟道为非对称结构,所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控,光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包括二维电子气形成层或...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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