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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层、一低k介电层、一TEOS硬掩膜层和一金属硬掩膜层；在所述金属硬掩膜层和所述TEOS硬掩膜层中形成用于蚀刻沟槽的第一图形，以露出部分所述低k介电...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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