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本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，器件中衬底、GaN缓冲层与势垒层由下至上设置，第一钝化层在势垒层上，其包括左半钝化层和右半钝化层，分别位于源极与栅极之间、栅极与漏极之间;第二钝化层在第一钝化层上；第一钝化层为增加势垒层张应...
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