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本发明涉及一种电子设备，包括RF-LDMOS晶体管(1)和用于所述RF-LDMOS晶体管的保护电路(2)。所述保护电路(2)包括：i)耦合至所述RF-LDMOS晶体管(1)的漏极端子(Drn)的输入端子(Ni)；ii)限幅节点(Nc)；ii...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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