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本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在基底依次外延生长一有源层，该有源层包括缓冲层、一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；形成一第三光学对称层于所述第二半导体层远离基底的表面；形成一金属层于所述第三光学对称...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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