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本发明公开一种提取半导体器件栅介质层陷阱时间常数的方法，属于微电子器件可靠性领域。该方法首先初始化半导体器件中陷阱状态，使得陷阱最终状态为空状态；然后栅端施加DC信号或AC信号，漏端为零偏压Vd1，在经过一段时间t1后，在栅端、漏端上分别施...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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