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提供了用于更新无源可变电阻式存储器（PVRM）中的数据的方法和装置。在一个实例中，公开了用于更新被存储在PVRM中的数据的方法。所述方法包括在没有使存储器块无效的情况下，更新高速缓存层次结构中多个存储器块的存储器块。所述更新后的存储器块可以...
该专利属于超威半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过超威半导体公司授权不得商用。

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