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本发明公开一种具高电流增益的异质接面双极晶体管改良结构及其加工方法，其中前述改良结构包括有一基板、一p型掺杂缓冲层、一次集极层、一集极层、一基极层、一射极层、一射极覆盖层以及一射极接触层；以多道蚀刻加工蚀刻出一基极电极接触区，并使蚀刻加工终...
该专利属于稳懋半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过稳懋半导体股份有限公司授权不得商用。

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