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本发明提出一种全包围栅极器件形成纳米线的方法，包括步骤：提供半导体衬底，包括基底层以及立于基底层上的鳍形沟道结构，鳍形沟道结构包括半导体材料的鳍形沟道以及覆盖鳍形沟道顶部的硬掩膜层；对鳍形沟道进行氧化处理，使得鳍形沟道侧壁表面被氧化层覆盖包...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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