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本发明提供一种MEMS器件及晶圆级密封性的测量方法，MEMS器件的测量方法包括：提供一由上至下依次由第一晶片、第二晶片和第三晶片键合而成的MEMS器件，第二晶片中具有一MEMS装置，第一晶片和第三晶片通过MEMS装置互通形成有空腔；使空腔区...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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