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本发明提供了半导体器件结构及相关的制造方法。示例性的半导体器件结构（100）包括沟槽栅极结构（114）、横向栅极结构（118）、具有第一导电类型的主体区（124）、漏极区（125）以及具有第二导电类型的第一源极区及第二源极区（128、130...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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