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本发明公开了一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用，属于半导体光器件制造技术领域，包括：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上，并进行图案画处理；...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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