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一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法，属于材料技术领域。采用一维TiO2纳米管阵列作为n型半导体电子传输层，CuInSe2纳米晶作为p型材料，复合形成CuInSe2/TiO2异质结薄膜结构。首先，利用溶剂热法制备出分散良好、...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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