一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法技术

一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法，属于材料技术领域。采用一维TiO2纳米管阵列作为n型半导体电子传输层，CuInSe2纳米晶作为p型材料，复合形成CuInSe2/TiO2异质结薄膜结构。首先，利用溶剂热法制备出分散良好、粒度均匀的CuInSe2纳米晶颗粒，其次采用电化学方法在金属钛片上自组织生长高度取向的TiO2纳米管阵列，最后采用电泳法将所制备的CuInSe2纳米晶颗粒负载到TiO2纳米管阵列之上，即可得到具有可见光响应、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的复合异质结薄膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在金属钛片表面制备TiO2纳米管阵列；所述TiO2纳米管阵列具有锐钛矿型晶体结构；步骤2：制备CuInSe2纳米晶颗粒；步骤3：配制CuInSe2纳米晶颗粒的氯仿溶胶体系；将CuInSe2纳米晶颗粒分散于氯仿溶剂中，形成浓度为10?6?10?7mol/L的溶胶体系；步骤4：以步骤3所得到的溶胶体系为电泳前驱液，将两片步骤1所制备的具有锐钛矿型晶体结构的TiO2纳米管阵列分别作为电泳法的阳极和阴极浸入步骤3所得到的电泳前驱液中，使用100～200V的电压，电泳50～120分钟，最终得到CuInSe2和TiO2复合异质结薄...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖宇龙，张怀武，钟智勇，白飞明，李颉，金立川，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：