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本发明提供一种上升响应速度快的半导体气体传感器及其制造方法。在Si层(5)上形成栅极绝缘膜(例如SiO2膜)(4)，在栅极绝缘膜(4)上形成改性TiOx(TiOx微晶)膜(1)。进而在改性TiOx膜(1)上形成Pt膜。该Pt膜由多个Pt晶粒...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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