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本发明涉及一种平面固态超级电容器的制备方法，在标准硅晶圆上使用半导体器件制造工艺中标准的化学气相沉积法、物理气相沉积法、沟槽刻蚀法、化学机械抛光法、基于硅通孔三维法等方法，制造以SiO2、Al2O3、HfO2或Ba(Sr)TiO3中的一种或...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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