【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种平面固态超级电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对硅晶片表面进行预处理:使用3wt%的氟化氢溶液浸渍硅晶片表面,然后用蒸馏水清洗;(2)使用化学气相沉积法对硅晶片进行二氧化硅镀膜,镀膜温度300~700℃,镀膜厚度为0.1~1微米;(3)对二氧化硅层进行光刻;(4)使用等离子法对微沟槽刻蚀,刻蚀温度为200~500℃;(5)制备电荷存储层:采用原子气相沉积法沉积由SiO2、Al2O3、HfO2或Ba(Sr)TiO3中的一种或几种组成的组合物,沉积温度为200~500℃;(6)使用化学机械抛光法使表面平整化,去除表面多余的高介电膜及二氧化硅保护层;(7)使用化学气相沉积法进行二氧化硅镀膜;(8)对二氧化硅层进行光刻;(9)上电极制备:采用物理气相沉积法或磁控溅射法沉积上电极,制备温度为200~500℃,金属电极材料为铝;(10)使用化学机械抛光法对硅晶片进行背面减薄,最终晶片厚度为50~500微米;(11)下电极制备:采用物理气相沉积法或磁控溅射法沉积下电极,制备温度为200~500℃,金属电极材料为铝;(12)三维叠层封装:使用硅通孔三维法将分立式的单层平面固态超级电 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:史方,王晓晨,周洁,孔令宇,潘毅,虞磊,韩建林,
申请(专利权)人:南京大学,
类型:发明
国别省市:
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