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一种SOI_MOSFET的热阻提取方法技术
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文档序号:9380931
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本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法,该方法包括以下步骤:设计一种器件,所述器件的栅结构的两端都引出连线;在不同温度下测试所述栅结构的电阻,获得其电阻随温度变化的特性;在常温下,使所述器件处于工作状态,测试此时所述栅结构的电阻...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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