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本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对...该专利属于NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社授权不得商用。