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用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体技术
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文档序号:9360643
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本发明提出一种用于制造薄膜半导体本体的方法,所述方法具有下述步骤:提供生长衬底(1);将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部(4)的半导体层(3)外延地生长到生长衬底(1)上;用半导体材料(6)填充凹部(4),使得产生棱锥形的耦合输出结构(13...
该专利属于欧司朗光电半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过欧司朗光电半导体有限公司授权不得商用。
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