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一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1.对单晶硅表面做化学清洗并刻蚀钝化，得到硅衬底；步骤2.将Bi2Se3化合物和硅衬底分别放置于管式炉石英管中心区和第一管口，密封石英管并抽真空；步骤3.加热石英管中心区；步骤4.从...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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