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本发明公开了一种快速、简便识别多晶硅片质量的方法。用HNO3和HF配置腐蚀溶液，将所要检测的多晶硅片，浸没到腐蚀溶液中进行腐蚀。腐蚀过程中，硅片加以摆动，使硅片表面腐蚀更加均匀。腐蚀完成后，将硅片放入纯水中清洗，清洗掉硅片表面残留的酸液。将...该专利属于韩华新能源（启东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过韩华新能源（启东）有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种快速、简便识别多晶硅片质量的方法。用HNO3和HF配置腐蚀溶液，将所要检测的多晶硅片，浸没到腐蚀溶液中进行腐蚀。腐蚀过程中，硅片加以摆动，使硅片表面腐蚀更加均匀。腐蚀完成后，将硅片放入纯水中清洗，清洗掉硅片表面残留的酸液。将...