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一种纳米管MOSFET器件及其制作方法用来延伸器件缩减规划而又维持良好短沟道效应并且提供有竞争力的驱动电流。纳米管MOSFET器件包括：同心管形内（61）和外栅极（50），被管形成形的外延生长的硅层相互分离；以及源极（35）和漏极（31），...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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