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本发明实施例公开了一种半导体集成器件及其制作方法，该器件包括：有源区和多个浅槽隔离区，第一浅槽隔离区表面内具有一开口；位于开口底部和侧壁的隔离层；位于隔离层表面上的电阻；位于有源区表面上的金属栅极；电阻上表面低于所述金属栅极的上表面，下表面...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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