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本实用新型涉及一种可以连续生长的提拉法晶体生长装置，包括提拉装置，晶体生长装置，整个晶体生长装置位于一个上部开口的炉腔中，炉腔外有炉壁(15)保护。生长坩埚(12)所在的生长炉和化料坩埚(8)所在的化料炉的温度是独立控制的。连通器(11)外...
该专利属于嘉兴学院所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴学院授权不得商用。

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