一种可以连续生长的提拉法晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种可以连续生长的提拉法晶体生长装置，包括提拉装置，晶体生长装置，整个晶体生长装置位于一个上部开口的炉腔中，炉腔外有炉壁(15)保护。生长坩埚(12)所在的生长炉和化料坩埚(8)所在的化料炉的温度是独立控制的。连通器(11)外壁有加热装置和保温层，其加热装置独立控温。通道(13)有加热装置和保温层，其加热装置独立控温。晶体从生长炉(12)转移到退火炉(14)的通道(13)有合适的温度场，以保证晶体在转移过程中不会受到热冲击，通道(13)的两端有耐高温的阀门，在没有转移晶体的时候门要关闭，以保证通道不会对退火炉(14)和生长炉(12)的温度场产生明显影响。退火炉(14)独立控温，以保证晶体在退火炉(14)中按照合适的退火程序退火，获得质地完好的晶体。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可以连续生长的提拉法晶体生长装置，其特征是所涉及的装置包括位于顶部的旋转电动机(1)，位于旋转电动机(1)下的升降电动机(2)，位于升降电动机(2)下用来安装3个道轨(4)的支柱(3)，安装于道轨(4)上的3个提拉头(5)，支柱(3)用由底座(7)支承的立柱(6)支撑，位于化料炉中的化料坩埚(8)的下部原料能够被加热熔化为熔体(9)，熔体(9)通过连通器(11)与位于加热炉中的生长坩埚(12)中的熔体互通，位于化料坩埚(8)的上部固态原料(10)随着晶体生长的逐步进行，会逐步被熔化补充熔体(9)，向生长坩埚(12)中不断地传递，位于生长坩埚(12)上部侧边有一个连接生长坩埚(12)和退火炉(14)的通道(13)，通过旋转电动机(1)驱动籽晶杆(5)带着生长后的晶体通过通道(13)转移到退火炉(14)中退火，整个晶体生长装置位于一个上部开口的炉腔中，炉腔外有炉壁(15)保护。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张建新，万尤宝，沈慧娟，熊小青，
申请(专利权)人：嘉兴学院，
类型：实用新型
国别省市：