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本发明的名称为一种带缓冲层结构晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有晶闸管在应用于高频大功率变流电源和脉冲功率电源时，存在压降大和开通速度慢等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片；半导...
该专利属于湖北台基半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北台基半导体股份有限公司授权不得商用。

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