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本发明是一种基于MEMS金属桥换能元结构的集成电路芯片级自毁方法及结构，具体的说是一种采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在芯片加工过程中在芯片内部制作与CMOS工艺相兼容的金属桥换能元，需要自毁功能作用时，在金属桥两端加电压，起爆金属...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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