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本发明公开了一种至少用于两种光刻机的曝光作业的通用掩模版，包括：多个第一掩模版对位标记，以及多个第二掩模版对位标记，其中，所述第一掩模版用于第一种光刻机的曝光，所述第二掩模版用于第二种光刻机的曝光。通过本发明的通用掩模版可以实现ASML步进...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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