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本发明提供一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，包括，将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面；将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上，使所述连接件可...该专利属于上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。