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本发明公开了一种N+/N型黑硅新结构。该结构以黑硅材料为光敏吸收层，梳状电极和平面金属电极分别为上、下电极。利用飞秒激光脉冲轰击或湿法刻蚀结合离子注入的方法制备的N+型黑硅光敏吸收层能够吸收紫外-可见光-近红外波段的光波，比传统硅探测器具有...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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