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本发明公开了一种晶圆拆键合工艺及系统,该工艺包括以下步骤:S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合,形成临时键合体;S2、对临时键合体上的器件晶圆进行背面加工工序;S3、通过厚度测量装置测量得到临时键合胶所在的高度位置;S4、根据临...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶圆拆键合工艺及系统,该工艺包括以下步骤:S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合,形成临时键合体;S2、对临时键合体上的器件晶圆进行背面加工工序;S3、通过厚度测量装置测量得到临时键合胶所在的高度位置;S4、根据临...