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一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离层；形成贯穿所述隔离层、且一端位于半导体衬底内的鳍部，所述鳍部表面高于隔离层表面；形成位于所述隔离层表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；形成位于所述栅极结...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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