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本发明涉及一种制备高岭土-硅烷有机插层复合物的方法。将硅烷嫁接入高岭土层间，形成高岭土-层间硅烷嵌合插层体，其特征在于其层间距d(001)在2.0nm到5.9nm之间。本发明方法是将硅烷以化学键合作用方式嫁接入层内，且嫁接率高，不同于以往简...
该专利属于中国矿业大学（北京）所有，仅供学习研究参考，未经过中国矿业大学（北京）授权不得商用。

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